產品介紹

真空共晶回流焊 半導體真空回流焊 共晶回流爐

真空共晶回焊爐適用范圍:

1、功率半導體封裝(IGBT、晶閘管、MOSFET等)

2、MEMS封裝

3、大功率器件封裝焊接、激光半導體真空封裝

4、芯片真空焊接(芯片與基板、蓋板與管殼)

5、氣密性封裝及材料試驗等

真空共晶回焊爐HSM 系列特點:

1、HSM系列半導體真空回流焊以進口平臺，精心打造，具有自主知識產權，打破國際封鎖和壟斷的半導體焊真空焊接設備，產品針對SOPSOT、DIP、QFN、QFP、BGA、IGBT、TO、MINI LED 等真空芯片封裝焊接。

2、2、HSM系列半導體真空回流焊采用工控嵌入式控制系統，系統采用雙CPU運算，可以脫離電腦(電腦死機)獨立運行

不僅穩定可靠而且溫度控制更加精確。

3、針對客戶產品提供可更換加熱模塊，有效解決溫差導致炸錫現象。

4、分步抽真空設計，最多可分5步抽真空

5、最大真空度可以達到 0.1KPa，Void Sinale<0.5%，Total<1%。最快循環時間 25s /per cycle、真空回流焊行業效率最高

6、熱機時間約30min

7、完美四配ASM及國內DB設備

8、獨家zhuanli的Fux錫育自動回收系統，減少設備維護和清理

9、設備支持關鍵焊接參數的配方功能、支持MES遠程數據讀取。

10、智能氨氣監測和控制系統，不但節約保護氣體，而且氧氣含量更低.

11、zhuanli密封圈水冷結構，不僅壽命更長，使用成本更低，而且減少了密封不良造成的昂貴的產品損壞。

zhuanli模塊加熱結構、溫度控制更加精準、行業溫控溫差最小、焊接效果更好進料升降高度和運輸采用步進伺服無極調速，可以匹配不同產品的生產需求完美的保護氣體加注與廢氣回收結構，讓爐內保護氣體更加均勻，爐膛更加清潔進料采用無塵滾輪+進料矯正機構和預熱區完美結合，可以實現產品準確移動到加熱器中央獨立氮氫混合氣體注入系統實現預熱區注入氨氣、焊接區注入氨氫混合氣體，不僅更加節約而且保護效果更佳zhuanli收料保護機構，當料框變形收料卡板時，自動轉存到備用料框，不僅不會耽誤生產，還能防止產品在爐內損壞

共晶回流爐基本參數

設備型號：HTC-612D HTC-613D

設備尺寸(mm)：L6300*D1450*H1560 L6300*D1450*H1560

機器重量 ：APPROX:3000KG APPROX:3100KG

加熱區數量 ：上6個下6個 上6個下6個

冷卻區數量：上2個下2個 4個冷卻區 上3個下3個 6個冷卻區

冷卻方式 強制冰冷 強制冰冷

排風要求：10m3/H*2 10m3/H*2

空洞率： APPROX:1%-2% APPROX:1%-2%

控制系統

電源要求：3P 380V 50/60Hz 3P 380V 50/60Hz

總功率 ：60KW 64KW

分段啟動功率： 35KW 35KW

消耗功率： APPROX:12KW-18KW APPROX:13KW-18KW

熱風機調速 孌頻無極調速 變頻無極調速

升溫時間 ：APPROX:30min APPROX:30min

溫度控制范圍 ：室溫~400°C可設置 室溫~400℃C可設置

生產配方 可儲存多組合生產配方 可儲存多組合生產配方

運輸系統

軌道對數：單軌 單軌

軌道結構 ：3段組合結構 3段組合結構

載具尺寸(mm)：L330*D250 L330*D250

運輸帶高度(mm)：900±20 900±20

運輸方式：等距推板、等距推板

真空系統

低真空壓力：0.1Kpa 0.1Kpa

真空泵流量 ：APPROX:1000L/min APPROX:1000L/min

泄壓時間 ：≤10s ≤10s

生產效率 ：≥40s 240s

選配氮氣系統

氮氣結構 全程/局部充氮 全程/局部充氮

氮氣系統 ：自動或手動可切換 自動或手動可切換

氮氣消耗量 ：APPROX:300-500L/min APPROX:300-500L/min